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碳碳復(fù)合材料制備工藝的步驟原理

碳碳復(fù)合材料制備工藝的步驟原理

    C/C 復(fù)合材料坯體致密化是向坯體中引入碳基體的過程, 實(shí)質(zhì)是用高質(zhì)量的碳填滿 CF 周圍的空隙, 以獲得結(jié)構(gòu)、 性能優(yōu)良的 C/C 復(fù)合材料。 最常用的有液相浸漬工藝和化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝。

  液相浸漬工藝

     液相浸漬工藝仍是制造 C/C 復(fù)合材料的一種主要工藝, 它是將上述各種增強(qiáng)坯體和樹脂或?yàn)r青等有機(jī)物一起進(jìn)行浸漬, 并用熱處理方法在惰性氣氛中將有機(jī)物轉(zhuǎn)化為碳的過程。 浸漬劑有樹脂和瀝青, 浸漬工藝包括低壓、 中壓和高壓浸漬工藝。

(1)基本原理

     樹脂、 瀝青含碳有機(jī)物, 主要是一些芳香族熱固性樹脂(如酚醛、 呋喃、 環(huán)氧)、煤瀝青和石油瀝青、 瀝青樹脂混合物等, 它們受熱后會(huì)發(fā)生一系列變化, 以樹脂為例,其典型變化過程是:樹脂體膨脹→揮發(fā)物(殘余溶劑、 水分、 氣體等)逸出→高分子鏈斷裂、自由基形成→芳香化, 形成苯環(huán)→芳香化結(jié)構(gòu)增長→結(jié)晶化, 堆積成平行碳層(層面內(nèi)碳原子排列成六角環(huán)形, 層間無規(guī)律)→堆積繼續(xù)增長→無規(guī)則碳或部分石墨化碳。 樹脂碳的結(jié)構(gòu), 由其構(gòu)成的復(fù)合材料的性能在很大程度上取決于含碳有機(jī)物的種類及致密化過程的工藝條件。

(2)樹脂系統(tǒng)的選擇

為使樹脂在熱解過程中盡可能多的轉(zhuǎn)變?yōu)樘记也怀霈F(xiàn)結(jié)構(gòu)缺陷, 要求樹脂、 瀝青等含碳有機(jī)物應(yīng)具備下列特性:

①殘?zhí)悸矢?殘?zhí)悸矢呖蓽p少反復(fù)浸漬碳化次數(shù), 減少碳化過程的收縮。 

②碳化時(shí)應(yīng)有低的蒸汽壓, 使分解形成的低分子物并不揮發(fā)掉, 而是進(jìn)一步環(huán)化。

③碳化不應(yīng)過早地轉(zhuǎn)變?yōu)閳?jiān)硬的固態(tài)。

④固化后樹脂、 瀝青的熱變形溫度高。

⑤固化、 碳化時(shí)不易封閉坯體的孔隙通道。

(3)液相浸漬法工藝

    典型工藝過程是:浸漬→碳化→石墨化。 經(jīng)過這些過程后, C/C 復(fù)合材料制品仍為一疏松結(jié)構(gòu), 內(nèi)部含有大量孔隙空洞, 需反復(fù)進(jìn)行浸漬→碳化等過程使制品孔隙逐漸被充滿, 達(dá)到所需要的致密度。 為了使含碳有機(jī)物盡可能多地滲入到纖維束中去, 可采用加壓浸漬→加壓碳化工藝, 所加壓力小至幾個(gè)大氣壓, 大到成百上千個(gè)大氣壓。液相浸漬法采用常規(guī)的技術(shù)容易制得尺寸穩(wěn)定的制品, 缺點(diǎn)是工藝繁雜, 制品易產(chǎn)生顯微裂紋, 分層等缺陷。

 CVD 工藝

    CVD 工藝是最早采用的一種 C/C 復(fù)合材料致密化工藝, 其過程為把 CF 坯體放入專用 CVD 爐中, 加熱至所要求的溫度, 通入碳?xì)錃怏w, 這些氣體分解并在坯體內(nèi) CF 周圍
空隙中沉積碳。

(1)基本原理

    碳?xì)錃怏w(如 CH4、 C2H6、 C3H3、 C2H4)等受熱時(shí), 形成若干活性基, 活性基與 CF表面接觸時(shí), 就沉積出碳, 以甲烷為例, 此過程可用下列模型表示式中Δ Q 為裂解必需的, 由外部加入的能量。CVD 法的優(yōu)點(diǎn)是工藝簡單, 坯體的開口孔隙很多, 增密的程度便于精確控制, 易于獲得性能良好的 C/C 復(fù)合材料。 缺點(diǎn)是制備周期太長, 生產(chǎn)效率很低。

(2)CVD C/C 復(fù)合材料的基本方法

     CVD 法包括等溫法、 熱梯度法、 壓差法、 脈沖法、 等離子體輔助 CVD 法。

①等溫法:即將坯體放在等溫的空間里, 在適當(dāng)?shù)膲毫ο拢?讓碳?xì)錃怏w不斷地從坯體表面流過, 靠氣體的擴(kuò)散作用, 反應(yīng)氣體進(jìn)入樣品孔隙內(nèi)進(jìn)行沉積, 該法特點(diǎn)是工藝簡單, 但周期很長, 制品易產(chǎn)生表面涂層, 最終密度不高。

②熱梯度法:在坯體內(nèi)外表面形成一定溫度差, 讓碳?xì)錃怏w在坯體低溫表面流過,同樣, 也是依靠氣體擴(kuò)散作用, 反應(yīng)氣體擴(kuò)散進(jìn)孔隙內(nèi)進(jìn)行沉積, 由于反應(yīng)氣體首先接觸的是低溫表面, 因此, 大量的沉積發(fā)生在樣品里側(cè), 表面很少沉積或不沉積, 隨著沉積過程的進(jìn)行, 坯體里側(cè)被致密化, 內(nèi)外表面溫差越來越小, 沉積帶逐漸外移, 最終得到從里至外完全致密的制品。 此法周期較短, 制品密度較高, 存在的問題是重復(fù)性差,不能在同一時(shí)間內(nèi)沉積不同坯體和多個(gè)坯體, 坯體的形狀也不能太復(fù)雜。

③壓差法:壓差法是均熱法的一種變化, 是在沿坯體厚度方向上造成的一定的氣體壓力差, 反應(yīng)氣體被強(qiáng)行通過多孔坯體。 此法沉積速度快, 沉積滲透時(shí)間較短, 沉積的碳均勻, 制品不易形成表面涂層。

④脈沖法:此法是一種改進(jìn)了的均熱法, 在沉積過程中, 利用脈沖閥交替地充氣和抽真空, 抽真空過程有利于氣體反應(yīng)產(chǎn)物的排除。 由于脈沖法能增加滲透深度, 故適合于 C/C 復(fù)合材料后期致密化。

⑤等離子體輔助 CVD 法(PACVD):在常規(guī)的 CVD 技術(shù)中需要用外加熱使初始反應(yīng)的碳?xì)錃怏w分解, 而在 PACVD 技術(shù)中是利用等離子體中電子的動(dòng)能去激發(fā)氣相化學(xué)反應(yīng)。PACVD 的輝光放電等離子體是施加高頻電場(chǎng)電離的低壓和低溫氣體。 等離子體的電離狀態(tài)是由其中高能電子以某種方式來維持的, 施加電場(chǎng)時(shí), 由于電子質(zhì)量輕, 所以傳遞電子的能量高, 同時(shí)由于等離子體中電子與離子質(zhì)量的差別, 限制了電子將能量傳遞給離子, 結(jié)果電子的動(dòng)能被迅速增加到能發(fā)生非彈性碰撞的程度, 此時(shí)高能電子引起電離,并通過與碳?xì)錃怏w分子的相互作用而形成自由基, 自由基在坯體里聚合形成沉積碳。 由于等離子體有較高的能量, 所以在相當(dāng)?shù)偷臏囟?典型值低于 300℃)激發(fā)化學(xué)反應(yīng), 與此同時(shí)由于其非平衡性, 等離子體不會(huì)加熱碳?xì)錃怏w和坯體。 但 PACVD 與常規(guī)的 CVD化學(xué)反應(yīng)熱力學(xué)原理不同, 形成的沉積碳結(jié)構(gòu)差別很大。跟多碳碳復(fù)合材料信息可查看http://m.jin-ba.com

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